Jelentős áttörés a szilíciumfotonikában! Kínában először sikerült meggyújtani a szilícium alapú chip belsejében lévő lézerfényforrást

Oct 26, 2024 Hagyjon üzenetet

2024 szeptemberében a laboratórium sikeresen meggyújtotta a szilícium alapú chipbe integrált lézerfényforrást, ami egyben ennek a technológiának az első sikeres megvalósítása Kínában.

 

Ez az eredmény a Jiufengshan Laboratory által kifejlesztett heterogén integrációs technológiát használja, és egy összetett folyamatot követően befejezi az indium-foszfid lézer folyamatintegrációját a 8- hüvelykes SOI lapkán belül.

 

Ezt a technológiát "chip out of light" néven ismerik az iparban, amely jobb átviteli teljesítményű optikai jeleket használ az elektromos jelek helyettesítésére az átvitel során, ami fontos eszköz a chipek közötti jeladatátvitel felforgatására, és a fő célja az, hogy oldja meg azt a problémát, hogy az áram chipek közötti elektromos jel közel van a fizikai határértékhez.

 

Forradalmi szerepet fog játszani az adatközpontok, számítástechnikai központok, CPU/GPU chipek, AI chipek és más területek népszerűsítésében.

 

A szilícium alapú optoelektronikai integrációra épülő chip-alapú optikai összeköttetések ideális megoldásnak tekinthetők a Moore utáni korszak integrált áramköri technológiai fejlesztésének szűk keresztmetszetein, mint például az energiafogyasztás, a sávszélesség és a késleltetés.

 

Jelenleg a szilícium fotonika teljesen integrált platform fejlesztésének legnehezebb kihívása a szilícium fotonika chipek "szívének", azaz a szilícium hordozón lévő fényforrásnak a fejlesztésében és integrálásában rejlik, amely nagy hatékonysággal képes fényt kibocsátani. . Ez a technológia egyike azon kevés üres láncszemeknek az optoelektronika területén Kínában.

 

A Jiufengshan Laboratory szilícium fotonika feldolgozó csapata együttműködött partnereivel a 8-hüvelykes szilícium fotonika lapkák, a heterogénen kötött III-V lézeranyag epitaxiális szemcsék fő problémáinak megoldásában, majd végrehajtotta a CMOS-kompatibilis eszköz-chipen gyártási folyamatot. , amely sikeresen megoldotta a III-V anyagszerkezet tervezés és növekedés nehézségeit, az alacsony anyag-ostya kötési hozamot, ill. heterogén integrált ostya-chip mintázat és maratási vezérlés. Közel tíz év felzárkózás és kulcsproblémák megoldása után végre sikerült megvilágítani a lézert a csillámban, és megvalósítani a "chip fényt".

news-220-140